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2010年NANDFlash价格发展持续两极化

发布时间:2020-07-01 02:26:52 阅读: 来源:岩棉板条厂家

NAND Flash市场未脱传统淡季,仍在等待苹果(Apple)补货效应出现,2010年1月下旬NAND Flash合约价大致持平,高容量32Gb和64Gb芯片有小幅调涨,低容量芯片要严防3-bit-per-cell架构的TLC(Triple- Level Cell)成为市场的价格杀手,但高容量产品新增产能又相当有限,因此2010年NAND Flash价格发展持续两极化。

本文引用地址:近期NAND Flash现货价和合约价都有止跌的迹象,1月下旬NAND Flash合约价持平开出,在高容量32Gb和64Gb芯片方面,由于上游NAND Flash大厂的产出有限,因此合约价出现平盘到小涨3%幅度,也预告2010年NAND Flash市场发展逐渐朝两极化进行。

NAND Flash业者指出,农历春节前的大陆客户买盘陆续出笼,针对小型记忆卡等产品进行补货,期望1月底的补货效应会更加明显,但整个市场仍在等待系统大厂的回补行情发动,尤其是苹果的补货效应,以及新产品平板计算机iSlate采用高容量NAND Flash芯片,都令市场期待甚深。

2010 年NAND Flash市场进入30奈米制程世代,三星电子(Samsung Electronics) 由42奈米进入32奈米制程、海力士(Hynix)由41奈米进入32奈米制程、东芝(Toshiba)由43奈米进入32奈米制程,美光 (Micron)和英特尔(Intel)阵营2009年已领先进入30奈米世代,2010年则是要进入20奈米世代,显示各阵营在制程微缩上相当积极。

模块厂认为,其实2010年NAND Flash产业不用扩增产能,但单靠制程微缩技术,产出即增加不少。

同时,2010年三星和东芝也进入TLC芯片技术,成本结构大幅下降,但也造成NAND Flash低容量的芯片价格持续下滑。NAND Flash业者表示,2010年NAND Flash芯片价格是两极化发展,低价芯片在TLC世代下会更便宜,但高阶芯片则在系统大厂、手机应用等带动下,价格会相对持稳。

2010年下游厂认为,2009年NAND Flash芯片价格涨上来后,一直维持高档盘旋,2010年在制程微缩和TLC芯片出笼下,NAND Flash价格波动会较大,尤其传统淡季和旺季价格会相当明显,因此在操作上需要更加小心。

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